Transistor MOS

Introduction - Définitions

Modes de fonctionnement

Transistor MOS en statique

Transistor MOS en dynamique

Transistors MOS particuliers

Conclusions. Exercices


Transistor MOS. 8.1 Introduction - Définitions .

8.1.4. MOSFET à enrichissement : E-MOSFET

Structure du MOS à enrichissement canal N


E -MOS canal N

Le E-MOSFET le drain et la grille ne sont pas reliés par un canal du même type.

Sans tension de commande, le E-MOSFET est bloqué : (NORMALLY OFF).

Régime d'enrichissement.

En appliquant une tension positive sur la grille, on attire les électrons à l'interface isolant-semiconducteur et on repousse les trous. A partir d'une certaine valeur : tension de seuil VTH (Threshold Voltage), une couche d'inversion apparaît et le transistor devient de plus en plus passant.

Représentation

Structure du MOS à enrichissement canal P

E-MOS canal P

Régime d'enrichissement.

Dans le cas du E-MOSFET canal P, si on applique une tension négative sur la grille par rapport au substrat, les électrons sont repoussés et les trous minoritaires sont attirés.A partir d'une certaine valeur : tension de seuil VTH (Threshold Voltage), une couche d'inversion apparaît et le transistor devient de plus en plus passant.

Représentation

Les transistors MOS à enrichissement sont bloqués sans tension de commande sur la grille (NORMALLY OFF), ils deviennent passants à partir d'une certaine tension de grille VTH . Plus |VGS| > |VTH|, plus le E-MOS devient passant.

http://jas2.eng.buffalo.edu/applets/education/mos/mosfet/mos_0.html

 

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Dernière mise à jour : le   02-Fév-2004 Auteur : Bernard BOITTIAUX