Le transistor JFET

Introduction- Définitions

Principe du JFET

JFET en régime statique.

JFET en régime dynamique.

JFET spéciaux.

Conclusions Exercices


Le transistor JFET- 6.4 Régime dynamique .

6.4.2. Schéma équivalent du JFET en régime de saturation.

Schéma équivalent théorique du JFET en régime petit signal.

Ce schéma doit prendre en compte la relation :

id = gm vg + rd vd

on caractérise un générateur de courant commandé en tension : gm vg , la résistance du canal est représentée par la résistance rd grande car le pincement est atteint.

rd de l'ordre de 100 kW.

Prise en compte des résistances d'accès de source et de drain.

Le schéma précédent concerne le JFET intrinsèque irréalisable. Le générateur de courant s'exprime par :

gm vg ' = g'm vg avec g'm :

Rs de 30 à 60 W

Schéma équivalent "naturel" du JFET

Prise en compte de la jonction grille-canal.

Soit <W> la largeur moyenne de la ZCE sous la grille. la capacité grille canal est donnée par.

Au pincement <W> = a/2 et cette capacité devient :

Malgré le caractère distribué le long du canal, on en tient compte par deux capacités localisées :

  • cGD : la capacité grille drain = cG /2
  • cGS : la capacité grille source = cG /2

les résistances rGD et rGS tiennent compte du courant fuite de la grille.

On peut aussi introduire entre la source et le drain un dipôle RC (rSD et cSD ) qui tient compte des courants de fuites extérieurs et des capacités parasites créées par l'encapsulation.

Valeurs courantes :

rGS ,rGD ,rSD de l'ordre de 1010 W, cGS et cGD : 3 pF et cSD 1 pF.

6.4.3. Fréquence de coupure.

La fréquence de coupure (fréquence maximale d'utilisation) est obtenue quand le JFET a un gain en courant égal à l'unité : le courant de sortie : g'm vG = courant traversant la capacité grille canal (cG = cGS +cGD )

En remplaçant gm et cG par leur expression en fonction du dopage et des dimensions géométriques du JFET, on trouve que fc0 est proportionnelle à 1/L2.

La fréquence de coupure est d'autant plus haute que la longueur du canal est petite.

 

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Dernière mise à jour : le   6 mai, 2004 Auteur : Bernard BOITTIAUX