Semiconducteur inhomogène - Diffusion

Objectifs

Diffusion

Courant de diffusion

Champ interne

Relation d'Einstein

Conclusions Exercices


Semiconducteur inhomogène : 7.1 Objectifs.

boule Etudier les conséquences d'une inhomogénéité de la densité des porteurs libres sur les propriétés générales d'un échantillon semiconducteur.

boule Par analogie avec le comportement des molécules dans les gaz, évaluer l'importance du phénomène de déplacement des porteurs des régions de fortes densités vers les régions de faibles densités.

boule Montrer que naturellement ce phénomène de déplacement de charges se traduit par un  courant électrique.

boule Lorsque l'inhomogénéité des porteurs découle de l'inhomogénéité du dopage, montrer qu'il existe un phénomène antagoniste qui empêche d'obtenir une densité uniforme des porteurs libres.

boule Mettre en évidence la relation entre ce phénomène de déplacement de porteurs  et le déplacement provoqué par l'application d'un champ électrique.


Semiconducteur inhomogène - Diffusion

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Diffusion

Courant de diffusion

Champ interne

Relation d'Einstein

Conclusions Exercices


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Dernière mise à jour : le 25 février, 2004 Auteur : Bernard BOITTIAUX