Transistor MOS

Introduction - Définitions

Modes de fonctionnement

Transistor MOS en statique

Transistor MOS en dynamique

Transistors MOS particuliers

Conclusions. Exercices


Transistor MOS. 8.2 Modes de fonctionnement .

8.2.1. Transistor MOS à appauvrissement : D-MOS.

Canal N : le courant entre la source et le drain est un courant d'électrons.


Canal P : le courant entre la source et le drain est un courant de trous.


Régime d'appauvrissement :

Canal N : VGS < 0
Canal P : VGS >0

Peut travailler en régime d'enrichissement.

VGS commande IDS (courant commandé par une tension).

Blocage (IDS = 0) pour VGS = VGSoff .

IDSS est obtenu pour VGS = 0

Caractéristiques statiques assez semblables à celles du JFET sauf que l'on peut avoir IDS > IDSS .

Relations usuelles : on assimile la caractéristique de transfert (IDS = f( VGS ) à une parabole :

transconductanceavec

Pour caractérister le MOSFET, le constructeur donne deux grandeurs : IDSS et VGSoff .

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Dernière mise à jour : le   02-Fév-2004 Auteur : Bernard BOITTIAUX