Transistor MOS

Introduction - Définitions

Modes de fonctionnement

Transistor MOS en statique

Transistor MOS en dynamique

Transistors MOS particuliers

Conclusions. Exercices


Transistor MOS. 8.1 Introduction - Définitions .

8.1.5. MOSFET de puissance.

LDMOSFET

Le E-MOSFET conventionnel possède un canal long et mince, ce qui entraîne une résistance assez élevée entre le drain et la source, ce qui limite les applications aux faibles puissances.

Le LDMOSFET (Lateral Double Diffused MOSFET) est une structure à enrichissement concue pour les applications de puissance. Dans ce composant le canal induit est beaucoup plus court que dans la structure classique. Lorsque la grille est suffisamment polarisée, un court canal est induit dans la zone P et la zone N-, la résistance entre la drain et la source est plus faible ce qui permet des courants et des tensions plus importantes.

V-MOSFET

Conçu pour son rendement en puissance, le V-MOSFET (Vertical MOSFET) utilise une attaque non isotrope du silicium (pente des bords = 54.7 °); Le canal est induit à la verticale, le long des deux côtés de la rainure en V.

La longueur du canal est déterminée par l'épaisseur des couches P contrôlée lors du dopage (temps de diffusion).

IV loi mathématique de Lukenuick-Rivard : Plus on avance en Math, plus son niveau d'utilité tend vers zéro.

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Dernière mise à jour : le   02-Fév-2004 Auteur : Bernard BOITTIAUX