Structure MOS - CCD

Introduction - Définitions

Description

Fonctionnement

Structure MOS réelle

Dispositifs CCD

Conclusions Exercices


Structure MOS- Dispositifs C.C.D. 7.5 dispositifs C.C.D.

7.5.2. Le transfert des charges.

Supposons qu'une deuxième structure M.O.S. se trouve très près de la première, suffisamment près pour que les ZCE se chevauchent. Une succession judicieuse de tensions de polarisation appliquées sur les 2 capacités peut faire transiter des charges de l'une vers l'autre.

(A)
(B)
(C)

A l'instant initial t = 0 on applique sur la grille 1 une tension VG supérieure à la tension de seuil de la structure. Il apparaît une ZCE vide.

en les instant 0 et t1 , on injecte une charge Q proportionnelle à l'information à transmettre.

A partir de t1 , on fait décroître le potentiel VG1 et on augmente le potentiel VG2. ceci entraîne :

  • l'effacement du puits sous G1.
  • l'apparition d'un puits sous G2.
  • un champ électrique parallèle à l'interface qui facilite le passage des électrons de la capacité 1 à la capacité 2.

Il faut absolument que le temps de transit entre les deux capacités soit nettement inférieur au temps de stockage pour que la quantité de charge à transférer (Q) ne soit pas modifiée.

Loi de Darwin : Un système complexe qui fonctionne est toujours dérivé d'un système simple qui fonctionne.

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Dernière mise à jour : le   10-Mai-2004 Auteur : Bernard BOITTIAUX