Structure MOS - CCD

Introduction - Définitions

Description

Fonctionnement

Structure MOS réelle

Dispositifs CCD

Conclusions Exercices


Structure MOS- Dispositifs C.C.D. 7.3 Fonctionnement .

7.3.4. Courbe C(V) d'une structure M.O.S idéale.

 

La mesure de la capacité d'une structure M.O.S s'effectue en appliquant une tension de polarisation VG et en superposant un petit signal alternatif (AC) servant à la mesure de la capacité.

En partant des valeurs négatives, on a d'abord le phénomène d'accumulation et la mesure donne la valeur de la capacité de l'isolant : Ci .

Ensuite, pour les tensions positives, le phénomène de désertion ajoute en série sur la capacité d'isolant, la capacité de la ZCE.

Courbes C(V) pour une structure M.O.S. idéale

C'est pour l'inversion que les résultats différent en B.F. et en H.F.

Quand le signal AC est en H.F., la charge d'inversion ne peut réagir au signal de mesure et la capacité mesurée est constante égale à Ci et CW placées en série.

Quand le signal de mesure est en B.F., lorsque la couche d'inversion se forme, la valeur mesurée retourne à celle de la capacité d'oxyde : Ci .

Loi de Murphy provoquée de Layani : Ça va péter..... ça va péter .... Ça a pété ....

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Dernière mise à jour : le   07-Mai-2004 Auteur : Bernard BOITTIAUX