Le transistor JFET

Introduction- Définitions

Principe du JFET

JFET en régime statique.

JFET en régime dynamique.

JFET spéciaux.

Conclusions Exercices


Le transistor JFET- 6.6 Conclusions - Exercice .

6.6 Conclusions

Le transistor à effet de champ à jonction (JFET) est :


Exercice : Réalisation d'un JFET

On désire concevoir un transistor à effet de champ à jonction canal 'N' en silicium. Pour cela on dispose d'une plaquette de silicium de type P et de résistivité 1.4 10-3 W.cm. On prendra la température ambiante T telle que :

kBT = 25 meV., µn (T) = 1.4 103 cm2.V-1.s-1. , µp (T) = 4.5 102 cm2.V-1.s-1. ,
ni2 = 1031 m-6 ; e = 10-10 F./m.

q = 1.6 10-19 C.

1°) Calculer le dopage de la plaquette. Rep : 1.0 1019 cm-3.

2°) On prévoit de réaliser une couche "N" épitaxiale de 2.0 µm d'épaisseur et de résistivité 0.9 W. cm. Calculer le dopage de la couche. Rep : 5.0 1015 cm-3.

3°) On décide que la longueur des contacts du composant sera 0.1 cm et que la distance entre le contact de source et le contact de drain sera de 40 µm (figure ci-contre). Calculer la résistance entre ces deux contacts quand la grille n'est pas encore réalisée. Rep : 0.24 kW

4°) Pour réaliser la grille, on effectue une couche superficielle (épaisseur négligeable) de type P (dopage NA = 1.0 1019 cm-3. ) uniforme sur une largeur de 30 µm entre la source et le drain. Calculer la résistance drain-source pour une tension grille-source nulle. Rep : 0.31 kW

5°) Quelle doit être la tension de la barrière pour que le canal soit fermé. En déduire la tension nécessaire à appliquer sur la grille quand la source et le drain sont au potentiel zéro. Rep : 4.0 V.

6°) Quelle doit être la tension entre la grille et la source pour avoir une variation d'une décade de la résistance drain-source. Rep : - 2.8 V.


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Dernière mise à jour : le 5 avril, 2004 Auteur : Bernard BOITTIAUX