Le transistor JFET

Introduction- Définitions

Principe du JFET

JFET en régime statique.

JFET en régime dynamique.

JFET spéciaux.

Conclusions Exercices


Le transistor JFET- 6.4 Régime dynamique.

6.4.1. Paramètres dynamiques du JFET.

Soit un JFET soumis à une tension drain VD et une tension grille VG, il va être parcouru par un courant ID, c'est son point de fonctionnement statique.

Le fonctionnement en régime dynamique petit signal va être caractérisé par deux grandeurs :

gd est la conductance de sortie et gm est la transconductance.

a) étude de la conductance

Dans la région linéaire, la conductance gd a la même expression que la conductance statique, ce qui permet d'utiliser le JFET comme une résistance dynamique commandée en tension.

b) étude de la transconductance.

Dans la région linéaire la transconductance est obtenue en différenciant la relation : à tension drain source constante.

Dans la région de saturation, la transconductance est obtenue en différenciant la relation donnant le courant de saturation :

on obtient :

(mA./V)

remarques :

La transconductance est proportionnelle à G0 , donc elle dépend de la mobilités des porteurs dans le canal. Les JFET sont généralement de canal N (µn > µp ) et l'arséniure de gallium est préféré au silicium. Cependant les JFET au GaAs présentent un fonctionnement plus complexe car les dimensions de grille très réduites entraînent des champs électriques transversaux très intenses et la vitesse des porteurs suit une loi complexe. Expérimentalement, les caractéristiques de transfert de JFET GaAs présentent des courbure plus faibles que celle des JFET Si.

Il existe un écart notable entre les transconductances expérimentales et les valeurs théoriques. Ce désaccord est provoqué par la présence de la résistance d'accès de source RS. Un meilleur accord est obtenu en posant :

 

car la tension réellement appliquée sur la grille diffère de celle mise sur l'électrode de grille de la chute de tension dans la résistance d'accès.


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Dernière mise à jour : le   2 avril, 2004 Auteur : Bernard BOITTIAUX