Le transistor JFET

Introduction- Définitions

Principe du JFET

JFET en régime statique.

JFET en régime dynamique.

JFET spéciaux.

Conclusions Exercices


Le transistor JFET- 6.3 Le JFET en régime statique .

6.3.3. Zones linéaires de la caractéristique statique.

Ce fonctionnement est caractérisé par des tensions drain-source faibles donc on peut poser :

VD << Vb - VG (rappel : VG < 0) et effectuer le développement :

(VD +Vb - VG )3/2 = (Vb - VG )3/2 + 3/2 (Vb - VG )1/2 VD + ....

en l'appliquant à la relation :

on obtient :

(mA.)

la relation précédente amène les remarques suivantes :

6.3.4 Courant de grille - Résistances d'accès.

On appelle zone active (active channel) la partie du canal qui est sous l'influence de l'action de la grille..

L'épaisseur de semiconducteur entre les contacts de drain et de source et la zone active introduit des résistances constantes (non affectées par la tension grille) appelées résistances d'accès (RS : résistance d'accès de source, RD résistance d'accès de drain.

Dans les régions linéaire, RS et RD augmente la valeur de la résistance drain source.

Dans les régions de saturation, la contribution de RD est faible, mais celle de RS est importante (réduction du courant drain par effet de rétroaction), c'est pour cela que l'on cherche à la minimiser au maximum.


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Dernière mise à jour : le 2 avril, 2004 Auteur : Bernard BOITTIAUX