Le transistor JFET

Introduction - Définitions

Principe du JFET

JFET en régime statique.

JFET en régime dynamique.

JFET spéciaux.

Conclusions Exercices


Le transistor JFET- 6.1 Introduction - Définitions .

6.1.1 Introduction.

Dans un premier temps, nous allons voir le principe de fonctionnement de ce composant à l'aide d'une analyse qualitative des phénomènes physiques qui entrent en jeu.

Ensuite, après avoir posé des hypothèses simplificatrices, nous effectuerons une description quantitative simple qui donnera la relation I(V).

A partir de la relation précédente nous envisagerons le fonctionnement statique pour finalement obtenir les caractéristiques I(V) du composant.

En donnant de petite variations dynamiques autour d'un point de fonctionnement déterminé, nous pourrons déduire de la relation I(V) le schéma électrique équivalent en régime petit signal.

Enfin nous terminerons par la description de structures spéciales réalisées pour obtenir des performances intéressantes pour différents usages.

La dernière partie de cette étude comportera quelques exercices d'applications des notions envisagées précédemment.

6.1.2. Définitions.

Dans un Transistor à Effet de Champ à jonctions (TEC) le courant est :

Le transistor à effet de champ à jonctions (Junction Field Effect Transistor : JFET ) comporte trois électrode :

La commande s'effectue par une tension et le courant traverse un canal 'N' ou 'P'.

JFET CANAL ' N '
JFET CANAL ' P '
  • le canal est de type 'N', la grille de type P+
  • porteurs : électrons majoritaires d'un SC 'N'
  • traversent le canal de la source vers le drain.
  • sens du courant : drain ---> source, donc le drain est à un potentiel positif par rapport à la source.
  • la jonction grille canal polarisée en inverse donc la grille doit être à un potentiel négatif par rapport à la source.

JFET canal 'N'

  • le canal est de type 'P', la grille de type N+
  • porteurs : trous majoritaires d'un SC 'P'
  • traversent le canal de la source vers le drain.
  • sens du courant : source ---> drain, donc le drain est à un potentiel négatif par rapport à la source.
  • la jonction grille canal polarisée en inverse donc la grille doit être à un potentiel positif par rapport à la source.

JFET canal 'P'

Dans toute l'étude on notera la tension Drain-Source : VD., la tension Grille-Source : VS et le courant Drain-Source : ID.

Dans beaucoup de semiconducteurs, la mobilité des électrons est plus grande que la mobilité des trous, le JFET 'N' possède une meilleure conductance et un fréquence de coupure plus grande que le JFET 'P' de mêmes caractéristiques. C'est pour cela , qu'en pratique, le JFET 'N' est le plus utilisé.

Lois de croyance scientifique :


Le transistor JFET

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JFET en régime dynamique.

JFET spéciaux.

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Dernière mise à jour : le 31 mars, 2004 Auteur : Bernard BOITTIAUX