La structure Métal-Semiconducteur

Introduction

Effets de surface

Le contact Métal-Semiconducteur

La diode SCHOTTKY

Le contact ohmique

Conclusions Exercices


La structure Métal-Semiconducteur - 5.3 Le contact Métal-Semiconducteur.

5.3.3. Cas où qm < qs

Soit le cas ou le travail de sortie du métal qm  est inférieur au travail de sortie du semiconducteur : qs .

Lors de la mise en contact du métal et du semiconducteur, les électrons du métal situés prés de l'interface possèdent une plus grand énergie que ceux du semiconducteur. Ils vont donc transférer vers celui-ci.

Il apparaît une zone de déficit de porteurs négatifs dans le métal (phénomène insignifiant) et une accumulation dans le semiconducteur. Il y a donc une accumulation de porteurs majoritaires dans le semiconducteur et le niveau de FERMI s'aligne.

Il n'existe donc aucune zone dépourvue de porteurs majoritaires dans la structure. Cette dernière conduira l'électricité dès qu'une tension sera appliquée. Le contact est ohmique.

Un contact entre un métal (travail de sortie qm ) et un semiconducteur  (travail de sortie  qs)  tels que  qm < qs  présente à l'interface un phénomène d'accumulation de porteurs majoritaires dans le semiconducteur. Dans ces conditions, on parlera d'un contact ohmique.

En résumé, un contact métal-semiconducteur 'N' est :
  • une barrière si qm > qs
  • un contact ohmique si qm < qs

Dans le cas d'un contact métal-semiconducteur de type "P", les conditions entre qm  et qs  sont inversées.


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Dernière mise à jour : le   30 mars, 2004 Auteur : Bernard BOITTIAUX