La structure Métal-Semiconducteur

Introduction

Effets de surface

Le contact Métal-Semiconducteur

La diode SCHOTTKY

Le contact ohmique

Conclusions Exercices


La structure Métal-Semiconducteur - 5.3 Le contact Métal-Semiconducteur.

Quand un métal et un semiconducteur sont en contact, la structure des bandes d'énergie à l'interface est conditionnée par la différence éventuelle entre le travail de sortie du métal : qm   et le travail de sortie du semiconducteur : qs .

Dans toute l'étude, on considérera le contact entre un métal et un semiconducteur de type "N"

5.3.1 Cas où qm = qs

avant contact Envisageons le cas où le travail de sortie du métal : qm   est égal au travail de sortie du semiconducteur : qs

Les niveaux de FERMI du métal EFm et du semiconducteur EFN sont alignés en l'absence de contact car leur distance au niveau du vide est la même.

Lorsque le contact est réalisé, les niveaux de FERMI étant déjà alignés, l'équilibre thermodynamique peut se réaliser sans échange de porteurs (ici des électrons).

Dans le semiconducteur la densité des électrons reste constante et la BdC (donc la BdV) restent plates. C'est ce que l'on appelle le régime de bandes plates ( flat-band).

La barrière présentée aux électrons qui veulent transiter du métal vers le semiconducteur qb  est donnée par :

barriere de potentiel metal semiconducteur (eV.)

Principe d'incertitude de Murphy : Celui qui hésite a sans doute raison.


La structure Métal-Semiconducteur

Introduction

Effets de surface

Le contact Métal-Semiconducteur

La diode SCHOTTKY

Le contact ohmique

Conclusions Exercices

page_prec La structure Métal-Semiconducteur.page_suiv Retour à la table des matières


Dernière mise à jour : le   30 mars, 2004 Auteur : Bernard BOITTIAUX