Les diodes semiconductrices

Objectifs et Définitions

Caractéristique statique de la diode PN

La diode PN en commutation

Les diodes particulières

Les hétérojonctions

Conclusions Exercices


Les diodes semiconductrices - 2.2 Caractéristique statique de la diode PN.

2.2.3 Le courant de génération/recombinaison.

 Dans la modélisation de  la jonction idéale, on a admis qu'il n'y avait pas de phénomènes de génération et de recombinaison dans la ZCE.

Caractéristique I(V) en tenant compte des phénomènes

de génération/recombinaison.

En polarisation directe
  • les électrons qui diffusent de la zone N vers la zone P croisent dans la ZCE les trous qui diffusent de la zone P vers la zone N.
  • le produit np devient plus grand que ni2.
  • un phénomène de recombinaison a donc lieu, il est décelable uniquement pour les très faibles valeurs du courant direct;
  • dans le cas ou les centres de recombinaisons ont leur niveau au milieu de la BI et que les durées de vie des porteurs minoritaires sont identiques et égales à théta on ( L12 ) montre que :

  • pour les fortes polarisations directes le courant de diffusion (exp(qVj/kBT)) masque complètement le courant de recombinaison (exp(qVj/2kBT).

en polarisation inverse (Vj < 0): 

2.2.4 Caractéristique réelles de la diode PN.

On tient compte du courant de diffusion, du courant de génération/recombinaison, des diverses imperfections physiques de la jonction en écrivant l'expression du courant traversant la diode sous la forme :

 (mA)

lambdaest le facteur d'idéalité

(diode idéale lambda = 1, diode entièrement gouvernée par la génération/recombinaison : lambda= 2 )

Principe d'incertitude d'Heisenberg-Mikusek : On ne peut savoir à la fois exactement quand ça va foirer, où ça va foirer et pourquoi ça va foirer.


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Dernière mise à jour : le 19 mars, 2004 Auteur : Bernard BOITTIAUX